Транзисторы для видеокарты в Беларуси
Бренд: PALIT Размер (видеокарты): NV RTX 3070TI Для геймеров: ДА Ссылка на сайт поставщика/вендора: https://eu.palit.com/palit/vgapro.php?id=4288&lang=de&pn=NED307TT19P2-1047G&tab=sp Длина упаковки (ед): 0.38 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.38x0.1x0.22 Ширина упаковки (ед): 0.1 Объем упаковки...
Ширина видеокартыдвухслотовая система охлажденияПартномерNEAT7300HD46-2080HВерсия разъема HDMI1.4Максимальное энергопотребление30Длина видеокарты115Система охлажденияпассивное (радиатор)Рекомендуемая производителем мощность БП300Разъемы дополнительного питаниябез дополнительного питанияРазъемов D-SUB1Разъемов HDMI1Частота видеопамяти1804Разрядность шины видеопамяти64Макс. разрешение по горизонтали2560Макс. разрешение по вертикали1600Техпроцесс28 нмТип поставкиRetРазъемов...
Видеокарта Gigabyte GV-N730D5-2GL Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: nVidia Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GK208 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность:...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока...
Корпус: TO-220 Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24.3 A Общий заряд затвора (Qg): 104.9...
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор
Максимальная рабочая температура: +150 °C Максимальный непрерывный ток стока: 37 A Тип корпуса: TO-247 Максимальное рассеяние мощности: 357 Вт Минимальная рабочая температура: -55 °C Minimum Gate Threshold Voltage: 3V Максимальное...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Ускорьте работу ПК с видеокартой NVIDIA GeForce GT 1030. Признанная архитектура NVIDIA Pascal, современный движок и технологии обеспечат производительность, необходимую для работы с самыми требовательными приложениями. Видеокарта GeForce GT 1030...
Производитель GPU: nVidia Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 710 Кодовое имя GPU: GK208 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль): 2160 Частота GPU: Частота работы...
Видеокарта Gigabyte GV-N730D3-2GI 3.0 Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GF108 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное...
Название Видеокарта MSI PCI-E N210-1GD3-LP NV GF210 1024Mb 64 DDR3 460-800 DVIx1-HDMIx1-CRTx1 Ret low profile. Название видеокарты NVIDIA GeForce 210. Разработчик видеокарты NVIDIA. Линейка GeForce. Техпроцесс 28 нм. Тип подключения...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит...
Комплектация: OEM область применения: игровая тип памяти: GDDR6X частота памяти: 1219 МГц шина обмена с памятью: 384 бит разъем дополнительного питания: 8 pin + 8 pin
Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GF108 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 2560 Максимальное разрешение (вертикаль): 1600 Частота...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Микроархитектура NVIDIA AMPERE Абсолютно новая микроархитектура NVIDIA Ampere демонстрирует потрясающую производительность благодаря усовершенствованным RT-ядрам 2-поколения в сценах с трассировкой лучей и тензорным ядрам 3-поколения, на фоне значительного прироста пропускной способности...
N Channel, Id=64A, Vds=55V, Rds(on)=0.014ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=94W, корпусTO-220AB-3, t-175°C
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Транзистор 13003 в корпусе ТО-220 тип: транзистор
Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3
Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 730 Кодовое имя GPU: GF108 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль): 2160 Частота...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: NVIDIA Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT 210 Кодовое имя GPU: GT218 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль): 2160 Частота...
Видеокарта Afox AF220-1024D3L2 Гарантия: 12 месяцев Производитель GPU: nVidia Линейка видеопроцессора: NVIDIA GeForce Графический процессор (GPU): GT220 Кодовое имя GPU: GT216 Максимальное разрешение: Максимальное разрешение (горизонталь): 4096 Максимальное разрешение (вертикаль):...
Транзисторы КТ856А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не...
Наименование прибора: IRF1010E Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Максимально допустимый...
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка AO4612, цена от 61.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Транзисторы КТ921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются...
Высота(см) 4 длина(см) 21 масса(кг) 0.7 ширина(см) 14 D-Sub 1 DVI 1 GTD Number 10005030/150323/3064663 GTIN 04897033780339 HDMI 1 Low Hash Rate Нет Cтрана-производитель Китай Партномер AF220-1024D3L2 RAMDAC 400 МГц...
Транзисторы КТ856А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не...
Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент...
Техническое описание Общие характеристики Тип: видеокарта Предназначена для майнинга (добыча криптовалют): нет LHR: нет Графический процессор: GeForce GT 740 Микроархитектура: NVIDIA Kepler Техпроцесс: 28 нм Спецификации видеопамяти Объем видеопамяти: 4...
Ширина (см): 14 Тип: Видеокарта Назначение: Для дома и офиса Подсветка: Нет Тип охлаждения: Активное вентиляторное Ширина упаковки (см): 28.5 Система охлаждения: Кастомная Количество вентиляторов (шт): 1 Объем видеопамяти: 4096...
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NPN 40В/0.02А/0.625Вт/800МГц характеристики Прочие Бренд Korea Electronics Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-92-3
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4...
Транзисторы КТ921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются...
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 30 Сопротивление канала в открытом состоянии...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.07 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
ХарактеристикиПроизводительPNYМодельVCNRTXA2000-PBD-Sub0DVI0DisplayPort0HDMI0Mini DisplayPort4MiniHDMI0RAMDACнетS-Video0USB Type-C0Вес брутто, грамм1194Гарантия производителя3 годаГрафический процессор (GPU)Quadro RTX A2000Длина видеокарты (мм)168ИнтерфейсPCI-Express x16Кол-во пиксельных конвейеров26Кол-во шейдерных процессоров3328Конструкция системы охлажденияДвухслотовая система охлажденияМакс. комплектация: Retail область применения: профессиональная особенности: низкопрофильная карта...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Масса(кг) 0.6 D-Sub 1 DVI 1 GTD Number 10005030/190123/3013340 GTIN 04897033780292 HDMI 1 Cтрана-производитель Китай Партномер AF210-1024D3L5-V2 RAMDAC 2x 400 МГц Вес брутто (грамм) 309 Вывод звука видеокарты NVIDIA HDMI...
Название видеокарты NVIDIA GeForce RTX 2060 Разработчик видеокарты NVIDIA Линейка GeForce Техпроцесс 12 нм Тип подключения PCI Express 3.0 Количество поддерживаемых мониторов 3 Максимальное разрешение 7680x4320 Частота видеопроцессора 1650 МГц...
Тип: GDDR6 Тип охлаждения: Активное Комплект поставки: Видеокарта, инструкция по установке Эффективная частота: 16000 МГц Ссылка на описание на сайте производителя: www. sapphiretech. com Техпроцесс: 7 нм Интерфейс: PCI-E x16...