Свч транзисторы большой мощности в Беларуси
Двигатель тарелки СВЧ 4W 5/6 об/мин 220V h16мм - синхронные двигатель малой мощности. Компактное устройство с малым количеством оборотов и с большим усилием на выходе, поворачивающим поддон, нагруженный продуктами в...
В комплекте 5 штук новых транзисторов MMBT4401 2X транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FMMT624 аналог KN2222AS характеристики цоколевка datasheet ММВТ4401 2Х Характеристики транзистора MMBT4401 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер,...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
TIP35C Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 А, 125 Вт является комплементарным силовым транзистором в корпусе TO-247-3. Это устройство изготовлено с использованием планарной технологии с разводкой «base island», что обеспечивает...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9014 J6 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог KSP42 схема MPSA42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9014 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9018 J8 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог С9018 схема KTC9019 характеристики цоколевка datasheet S9018 относятся к малошумящим (NC до 4,0 дБ) широкополосным транзисторам....
Мотор вращения тарелки свчмотор вращения тарелки СВЧ 4W 5/6 rpm MCW501UN Двигатель тарелки СВЧ 4W 5/6 об/мин 220V h16мм - синхронные двигатель малой мощности. Компактное устройство с малым количеством оборотов...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Микровыключатель-Микровыключатель - один из основных элементов системы блокировки, которые также служат для управления режимами нагрева, временем, блокировкой работы устройства при открытой дверце и т. д. тип устройства: микроволновая печь производитель...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами....
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9013 J3 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MPS6532 схема MPSW01A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S-9013 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8550 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог MPSA92 схема MPSW51G характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8550 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8050 Y1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1036 схема 2SA1182 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Y-1 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 G1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MMBT5551 схема KST5551 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Общие характеристики Тип: соло Внутреннее покрытие камеры: эмаль Мощность микроволн: 700 Вт Объем: 20 л Панель управления Дисплей: нет Переключатели: поворотные Тип управления: механическое Таймер: есть Программы Автоматическая разморозка: естьАвтоматический...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
2N2907A 331 транзистор (5 шт.) TO92 MPS751 схема KSA709 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2907А Характеристики транзистора 2N2907A Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более:...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
О модели AEG KMK721880B Встраиваемая микроволновая печь AEG KMK721880B объемом 42 литра оснащена грилем, который поможет получить хрустящую корочку. Также есть функция разморозки, растапливания и опция для приготовления попкорна. Блокировка...
Микроволновая печь Tesler Elizabeth MM-2045 бежевыйОписаниеМикроволновая печь Tesler MM-2045 серии Elizabeth - это простая и надежная механическая СВЧ, в которой предусмотрено 6 режимов мощности, функция разморозки и система равномерного распределения...
Tuvio — это бренд удобной бытовой техники для домашней семейной жизни, придуманный в Яндексе. Микроволновая печь Tuvio станет настоящим помощником на кухне. Кроме привычных разморозки и подогрева, поможет с готовкой...
Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. На крышке корпуса...
Микроволновая печь Samsung MC28H5013AW/BW является мультифункциональным устройством для приготовления выпечки, блюд на гриле и подогрева продуктов перед подачей на стол. Вместительная камера объемом 28 л позволяет использовать посуду любой формы...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SS8550 Y2 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SA1037 схема 2SA1620 характеристики цоколевка datasheet SS8550 Транзистор PNP 25В 1.5А sot23 Описание и характеристики SS8550...
Тип продукта Микроволновые печи Срок службы 7 лет Высота, мм 256 Глубина, мм 394 Цвет Нержавеющая сталь + черный Материал Нержавеющая сталь + стекло Управление кнопки и поворотный переключатель Дисплей...
Цвет: черный/нержавеющая сталь с защитой от отпечатков пальцев Максимальная мощность микроволн (Вт): 800 Количество уровней мощности: 5 Объем: 17 л Уровень шума: 60 дБц Программы автоматического размораживания по весу: обеспечивает...
Микроволновая печь LG MW23D35GIH имеет объем, равный 23 л. Особенностью печи является инверторная технология, благодаря которой разогрев осуществляется равномерно. При изготовлении внутреннего покрытия камеры модели была использована эмаль легкой очистки:...
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть...
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 150...
Встраиваемая микроволновая печь Weissgauff в белом цвете равномерно разогревает еду без поворотного стола, благодаря системе Spiegel и биокерамическому покрытию White Flat Ceramic. Технология SPIEGEL распределяет энергию в камере более равномерно,...
Большой объем для большой семьи: впечатляющий объем камеры 28 л предназначен для больших семей. Такая емкость позволит за один раз разогреть еду сразу на несколько человек и превратит готовку в...
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Всегда как новенькая Керамическая эмаль по удобству уступает разве что помощнику по хозяйству, который вымоет печь за вас. Прежде всего, она прочная, как и полагается для качественной кухонной утвари. Как...
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5...
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2307 A7SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог AO3407A схема MMBT4355 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В -30 Максимальный...
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -35 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Удобная микроволновая печь Centek CT-1571 с объемом камеры 20 литров является незаменимым помощником на современной кухне. Прибор выполняет задачи по приготовлению, подогреву и размораживанию продуктов. Поддерживает 6 режимов мощности. Для...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20...
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -10 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Микроволновая печь CT-1575. Цвет черный. Объем 20 л, мощность 700 Вт, таймер на 30 минут,6 режимов приготовления, подсветка камеры, прозрачное стекло, звуковой сигнал, открывание дверцы ручкой. Эмаль легкой очистки. Микроволновая...
Готовьте любимые блюда быстро и вкусно с новыми инверторными печами • Инверторная микроволновая печь с грилем • Объем 23 литра • Выходная мощность 1000 Вт • Комбинация режимов (микроволны +...
Основные характеристики - Тип: отдельностоящая - Мощность микроволн: 800 Вт - Внутренний объем: 25 л - Внутреннее покрытие камеры: эмаль - Технология "Без поворотного стола": нет - Диаметр поворотного столика:...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor...